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部品型式

7MBP100RA060

製品説明
仕様・特性

7MBP100RA060 600V / 100A 7 in one-package IGBT-IPM R series Features · Temperature protection provided by directly detecting the junction temperature of the IGBTs · Low power loss and soft switching · Compatible with existing IPM-N series packages · High performance and high reliability IGBT with overheating protection · Higher reliability because of a big decrease in number of parts in built-in control circuit Maximum ratings and characteristics Absolute maximum ratings(at Tc=25°C unless otherwise specified) Symbol Item Rating Min. DC bus voltage DC bus voltage (surge) DC bus voltage (short operating) Collector-Emitter voltage DB Reverse voltage INV Collector current DB Collector power dissipation Collector current DC 1ms DC One transistor DC 1ms Forward current of Diode Collector power dissipation One transistor Junction temperature Input voltage of power supply for Pre-Driver Input signal voltage Input signal current Alarm signal voltage Alarm signal current Storage temperature Operating case temperature Isolating voltage (Case-Terminal) Screw torque Mounting (M5) Terminal (M5) VDC VDC(surge) VSC VCES VR IC ICP -IC PC IC ICP IF PC Tj VCC *1 Vin *2 Iin VALM *3 IALM *4 Tstg Top Viso *5 0 0 200 0 0 0 0 0 -40 -20 - 450 500 400 600 600 100 200 100 400 50 100 50 198 150 20 Vz 1 Vcc 15 125 100 AC2.5 3.5 *6 3.5 *6 Unit Max. V V V V V A A A W A A A W °C V V mA V mA °C °C kV N·m N·m Fig.1 Measurement of case temperature *1 Apply Vcc between terminal No. 3 and 1, 6 and 4, 9 and 7, 11 and 10. *2 Apply Vin between terminal No. 2 and 1, 5 and 4, 8 and 7, 12,13,14,15 and 10. *3 Apply VALM between terminal No. 16 and 10. *4 Apply IALM to terminal No. 16. *5 50Hz/60Hz sine wave 1 minute. Electrical characteristics of power circuit (at Tc=Tj=25°C, Vcc=15V) Item INV DB Symbol Collector current at off signal input Collector-Emitter saturation voltage Forward voltage of FWD Collector current at off signal input Collector-Emitter saturation voltage Forward voltage of Diode ICES VCE(sat) VF ICES VCE(sat) VF Condition VCE=600V input terminal open Ic=100A -Ic=100A VCE=600V input terminal open Ic=50A -Ic=50A Min. – – – – – – Typ. – – – – – – Max. 1.0 2.8 3.0 1.0 2.8 3.3 Unit mA V V mA V V

ブランド

FUJITSU

現況

富士通株式会社から2008年3月に100%子会社「富士通マイクロエレクトロニクス」(その後、2010年4月に社名を現在の「富士通セミコンダクター」に変更)を設立した。 2015年3月1日付で、富士通セミコンダクター株式会社のシステムLSI事業は株式会社ソシオネクストに譲渡されました。

会社名

株式会社ソシオネクスト

本社国名

日本

事業概要

システムメモリ、ウェハーファウンドリ、販売にかかる事業

供給状況

 
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データシート
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