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2SJ576APTL
2SJ576 Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching ADE-208-741B (Z) 3rd.Edition. June 1999 Features • Low on-resistance R DS =2.8 typ. (V GS = -10 V , I D = -50 mA) R DS =5.7 typ. (V GS = -4 V , ID = -50 mA) • 4 V gate drive device. • Small package (CMPAK) Outline CMPAK 3 1 2 D 3 2 1. Source 2. Gate 3. Drain G S 1
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