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部品型式

HY57V561620CTP-H

製品説明
仕様・特性

256Mb Synchronous DRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O 256M (16Mx16bit) Hynix SDRAM Memory Memory Cell Array - Organized as 4banks of 4,194,304 x 16 This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied. Rev 1.1 / Apr. 2008 1

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提携先在庫情報

型式 数量 D/C・lead 備考 選択
HY57V561620CTPH 1540個    
HY57V561620CTP-Hを取扱っています。

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