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V06C
GENERAL-USE RECTIFIER DIODE V06 FEATURES OUTLINE DRAWING • For general purpose. • Diffused-junction. Glass passivated and encapsulated. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Item Type V06C V06E V06G V06J Repetitive Peak Reverse Voltage V RRM V 200 400 600 800 Non-Repetitive Peak Reverse Voltage V RSM V 300 500 800 1000 Average Forward Current I F(AV) A Surge(Non-Repetitive) Forward Current I FSM A 35 ( Without PIV, 10ms conduction, Tj = 175°C start ) 2 (Single-phase half sine wave 180° conduction ) 1.1 TL = 90°C, Lead length = 10mm I t Limit Value It 2 As 2 4.9 ( Time = 2 ~ 10ms, I = RMS value ) Operating Junction Temperature Tj °C -65 ~ +175 T stg °C -65 ~ +200 Storage Temperature Notes (1) Lead Mounting : Lead Temperature 300°C max. to 3.2mm from body for 5sec. Max.. (2) Mechanical Strength : Bending 90°×2 cycles or 180°×1 cycle, Tensile 2kg, Twist 90°×1 cycle. CHARACTERISTICS(T L =25°C) Item Symbols Units Min. Typ. Max. 1.5 20 C class Test Conditions 0.6 10 E,G,J class Peak Reverse Current I RRM µA - Peak Forward Voltage V FM V - - 1.4 I FM =1.1Ap, Single-phase half sine wave 1 cycle trr µs - 3.0 - I F =2mA, V R =-15V °C/W - - Reverse Recovery Time Steady State Thermal Impedance R th(j-a) R th(j-l) 80 50 Rated V RRM Lead length = 10 mm PDE-V06-2 P 1 / 4
HITACHI
NECエレクトロニクスは平成14年にNECから、ルネサスは平成15年に日立製作所及び三菱電機からそれぞれ分離独立する形で設立された半導体専業企業であり両者は合併した。
RENESAS
ルネサス エレクトロニクス株式会社
日本
2010年(平成22年)4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ&ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI
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