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NP60N03KUG-AZ
DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR NP60N03KUG SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET ORDERING INFORMATION DESCRIPTION PART NUMBER Transistor designed for high current switching applications. PACKAGE NP60N03KUG The NP60N03KUG is N-channel MOS Field Effect TO-263 (MP-25ZK) FEATURES (TO-263) • Channel temperature 175 degree rating • Super low on-state resistance RDS(on) = 4.8 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 30 A) • Low Ciss: Ciss = 3500 pF TYP. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C) Drain to Source Voltage (VGS = 0 V) VDSS 30 V Gate to Source Voltage (VDS = 0 V) VGSS ±20 V Drain Current (DC) (TC = 25°C) ID(DC) ±60 A ID(pulse) ±240 A Total Power Dissipation (TA = 25°C) PT1 1.8 W Total Power Dissipation (TC = 25°C) PT2 88 W Channel Temperature Tch 175 °C Tstg −55 to +175 °C IAR 33 A EAR 109 mJ Drain Current (pulse) Note1 Storage Temperature Repetitive Avalanche Current Note2 Repetitive Avalanche Energy Note2 Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1% 2. Tch < 150°C, VDD = 15 V, RG = 25 Ω, VGS = 20 → 0 V THERMAL RESISTANCE Channel to Case Thermal Resistance Rth(ch-C) 1.70 °C/W Channel to Ambient Thermal Resistance Rth(ch-A) 83.3 °C/W The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please confirm that this is the latest version. Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics sales representative for availability and additional information. Document No. D16860EJ1V0DS00 (1st edition) Date Published September 2004 NS CP(K) Printed in Japan 2004
NEC
NECエレクトロニクスは平成14年にNECから、ルネサスは平成15年に日立製作所及び三菱電機からそれぞれ分離独立する形で設立された半導体専業企業であり両者は合併した。
RENESAS
ルネサス エレクトロニクス株式会社
日本
2010年（平成22年）4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ＆ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI
お買い上げ小計が１万円以上の場合は送料はサービスさせて頂きます。１万円未満の場合、また時間指定便はお客様負担となります。（送料は地域により異なります。）
