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2SK3151
2SK3151 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-747B (Z) 3rd. Edition Mar. 2001 Features • Low on-resistance R DS (on) = 11.5mΩ typ. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source Outline TO–3P D 2 1 G 1 3 S 2 3 1. Gate 2. Drain (Flange) 3. Source
RENESAS
ルネサス エレクトロニクス株式会社
日本
2010年(平成22年)4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ&ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI
見積依頼→在庫確認→見積回答→注文→検収→支払 となります。