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1N5232
1N5221B...1N5267B Silicon Z–Diodes Features D D D D Very sharp reverse characteristic Very high stability Low reverse current level VZ–tolerance ± 5% Applications Voltage stabilization 94 9367 Absolute Maximum Ratings Tj = 25_C Parameter Power dissipation Z–current Junction temperature Storage temperature range Test Conditions TL 75°C Type x Symbol PV IZ Tj Tstg Value 500 PV/VZ 200 –65...+200 Unit mW mA °C °C Symbol RthJA Value 300 Unit K/W Maximum Thermal Resistance Tj = 25_C Parameter Junction ambient Test Conditions l=9.5mm (3/8”), TL=constant Characteristics Tj = 25_C Parameter Forward voltage Test Conditions IF=200mA TELEFUNKEN Semiconductors Rev. A1, 12-Dec-94 Type Symbol VF Min Typ Max 1.1 Unit V 1 (4)
MICRON
Micron Technology
U.S.A
メモリ・ストレージ用の各種半導体メモリ(DRAMやフラッシュメモリとそれらの搭載製品群)を製造・販売している。主力製品は、DRAM, FLASH MEMORY
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