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BCX54
BCX54/BCX55/BCX56 NPN Plastic-Encapsulate Transistor P b Lead(Pb)-Free 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER FEATURES High current Low voltage Medium power general purposes Driver stages of audio amplifiers. 1 2 3 SOT-89 MAKING: BCX54:BA BCX54-10:BC BCX54-16:BD BCX55:BE BCX55-10:BG BCX52-16:BM BCX56:BH BCX56-10:BK BCX56-16:BL MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage 45 60 BCX56 VCEO BCX54 BCX55 VCBO Units 100 V 45 BCX54 BCX55 BCX56 V 60 80 VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 1 A PC Collector Power Dissipation 500 mW TJ Junction Temperature 150 Tstg Storage Temperature -65-150 ℃ ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions MIN BCX54 60 BC56 45 BCX55 60 BCX56 UNIT 100 BCX54 MAX 45 BCX55 IC=100μA,IE=0 Collector-base breakdown voltage TYP 80 V(BR)CBO IC=1mA,IB=0 V V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=100μA,IC=0 Collector cut-off current ICBO VCB=30V,IE=0 0.1 μA Emitter cut-off current IEBO VEB=5V,IC=0 0.1 μA hFE(1) VCE=2V,IC=5mA 40 hFE(2) VCE=2V,IC=150mA 63 hFE(3) VCE=2V,IC=500mA 25 DC current gain Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Base-emitter voltage VBE Transition frequency fT W E IT R O N h t t p : / / w w w . w e i t r o n . c o m . tw 5 V 250 IC=-500mA,IB=-50mA 0.5 1 VCE=2V,IC=500mA VCE=5V,IC=10mA,f=100MHz 1/2 130 V V MHz 25-Jun-08
PHILIPS
2006年8月フィリップス社が半導体部門を投資家グループに売却しKASLION Acquisition B.V.の名称で法人化。2010年5月 社名を現在のNXPセミコンダクターズN.V.に変更。
NXP
NXP Semiconductors
オランダ
高性能ミックスドシグナルICのほか、ディスクリートなどの汎用製品をグローバルに提供している。
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