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RD30EB1
SIYU R RD_EB Series 特征 Features DO-35 Glass ·反向漏电流小。 Low reverse leakage max. 0.52 ·齐纳击穿阻抗低。 low zener impedance ·最大功率耗散500mW。 maximum power dissipation of 500 mW min. 27.5 ·高稳定性和可靠性。 High stability and high reliability 1.8 0.2 机械数据 Mechanical Data 3.8 0.2 CATHODE MARK 封装: DO-35 玻璃封装 min. 27.5 Case: DO-35 Glass Case 极性: 色环端为负极 Polarity: Color band denotes cathode end 安装位置: 任意 Mounting Position: Any Unit：mm 极限值和温度特性 TA = 25℃ 除非另有规定。 Maximum Ratings & Thermal Characteristics 参数 Parameter Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified. 符号 Symbols 数值 Value 单位 Unit 功率消耗 Power Dissipation Pd 500 mW 工作结温 Operating junction temperature Tj 175 ℃ 存储温度 Storage temperature range Ts -50 --- +150 ℃ 电特性 TA = 25℃ 除非另有规定。 Electrical Characteristics Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified. 稳压范围 型号 Type 反向特性 动态电阻 Zener Voltage Reverese Current Dynamic Resistance 测试条件 VZ(V) Test condition 最小值 MIN. 最大值 MAX. B 1.88 1.88 2.10 B2 2.02 2.12 2.12 2.30 B2 2.22 2.33 2.33 2.52 B2 2.43 2.63 B 2.54 2.91 B1 2.54 2.75 B2 2.69 IZ(mA) 2.63 RD2.4E B1 最大值 MAX. 2.41 B VR(V) 测试条件 Test condition 2.41 B1 最大值 MAX. rd(Ω) 2.20 B Test condition 2.20 RD2.0E B1 IZ(mA) 测试条件 IR(µA) 2.91 RD2.2E RD2.7E - 375 - 20 120 0.5 140 20 20 120 0.7 120 20 20 120 1.0 100 20 20 100 1.0 100 20 大昌电子 DACHANG ELECTRONICS
NEC
NECエレクトロニクスは平成14年にNECから、ルネサスは平成15年に日立製作所及び三菱電機からそれぞれ分離独立する形で設立された半導体専業企業であり両者は合併した。
RENESAS
ルネサス エレクトロニクス株式会社
日本
2010年（平成22年）4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ＆ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI
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