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部品型式

2SK30A-GR

製品説明
仕様・特性

2SK30A-GR Transistors N-Channel JFET Military/High-RelN V(BR)DSS (V) V(BR)GSS (V)50 I(D) Max. (A) I(G) Max. (A) Absolute Max. Power Diss. (W)100m Maximum Operating Temp (øC) I(GSS) Max. (A) @V(GS) (V) (Test Condition) V(GS)off Min. (V) I(DSS) Max. (A) V(GS)off Max. (V) @Vgs (test) (V)5.0 @V(DS) (V) (Test Condition) @I(D) (A) (Test Condition) I(DSS) Min. (A)6.5m I(DSS) Max. (A) @V(DS) (V) (Test Condition) r(DS)on Max. (Ohms) g(fs) Min. (S) Trans. conduct.1.2m g(fs) Max; (S) Trans. conduct;

ブランド

TOSHIBA

会社名

株式会社　東芝セミコンダクター＆ストレージ社

本社国名

日本

事業概要

半導体部門、DRAM、フラッシュメモリ、プロセッサ、汎用LSI

供給状況

　
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