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2SK30ATM
2SK30A Transistors N-Channel JFET Military/High-RelN V(BR)DSS (V) V(BR)GSS (V)50 I(D) Max. (A) I(G) Max. (A) Absolute Max. Power Diss. (W)100m Maximum Operating Temp (øC)125õ I(GSS) Max. (A)1.0n @V(GS) (V) (Test Condition) V(GS)off Min. (V) I(DSS) Max. (A) V(GS)off Max. (V)5.0 @Vgs (test) (V)0 @V(DS) (V) (Test Condition) @I(D) (A) (Test Condition) I(DSS) Min. (A)6.5m I(DSS) Max. (A) @V(DS) (V) (Test Condition) r(DS)on Max. (Ohms) g(fs) Min. (S) Trans. conduct.1.2m g(fs) Max; (S) Trans. conduct;
TOSHIBA
株式会社 東芝セミコンダクター＆ストレージ社
日本
半導体部門、DRAM、フラッシュメモリ、プロセッサ、汎用LSI
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